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      650V N-OSS
      蘇州東微半導體
      東微半導體成立于2008年,注冊資本5053.2275萬元,是一家技術驅動型的半導體技術公司,在作為半導體核心技術的器件領域有深厚的技術積累,專注半導體器件技術創(chuàng)新,擁有多項半導體器件核心專利。 2013年下半年,東微半導體原創(chuàng)的半浮柵器件的技術論文在美國《科學》期刊上發(fā)表,標志著國內科學家在半導體核心技術方向獲得重大突破。新聞聯(lián)播、人民日報等媒體均進行了頭條重點報道,引起了國內外業(yè)界的高度關注。2016年東微半導體自主研發(fā)的新能源汽車直流大功率充電樁用核心芯片成功量產,打破國外廠商壟斷。目前,東微半導體已成為國內高性能功率半導體領域的佼佼者,在新能源領域替代進口半導體產品邁出了堅實一步,產品進入多個國際一線客戶,并受到了客戶的一致好評。
      Class Product Name Configuration Package MOQ BVds[V] Id [A] 25℃ Vgs(th) [Typ V] Rds(on) /ohm Vgs=10V Qg [nC] at 10V Features
      Typ. Max.
      650V N-OSS OSS65R340DF Single_N TO-252 2500 650 12 3.4 0.3 0.34 9.6 Super Si, ultra-high speed switching
      OSS65R340FF Single_N TO-220F 1000 650 12 3.4 0.3 0.34 9.6 Super Si, ultra-high speed switching
      OSS65R340JF Single_N DFN88 2500 650 12 3.4 0.3 0.34 9.6 Super Si, ultra-high speed switching
      OSS65R240JF Single_N DFN88 2500 650 18 3.7 0.21 0.24   Super Si, ultra-high speed switching
      OSS65R125JZF Single_N DFN88 2500 650 25 3.75 0.115 0.125 40.3 Super Si,F(xiàn)ast Recovery
      OSS65R125PZF Single_N TO-220 1000 650 25 3.75 0.115 0.125 40.3 Super Si,F(xiàn)ast Recovery
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