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      650V N-OSS
      蘇州東微半導體
      東微半導體成立于2008年,注冊資本5053.2275萬元,是一家技術驅動型的半導體技術公司,在作為半導體核心技術的器件領域有深厚的技術積累,專注半導體器件技術創新,擁有多項半導體器件核心專利。 2013年下半年,東微半導體原創的半浮柵器件的技術論文在美國《科學》期刊上發表,標志著國內科學家在半導體核心技術方向獲得重大突破。新聞聯播、人民日報等媒體均進行了頭條重點報道,引起了國內外業界的高度關注。2016年東微半導體自主研發的新能源汽車直流大功率充電樁用核心芯片成功量產,打破國外廠商壟斷。目前,東微半導體已成為國內高性能功率半導體領域的佼佼者,在新能源領域替代進口半導體產品邁出了堅實一步,產品進入多個國際一線客戶,并受到了客戶的一致好評。
      Class Product Name Configuration Package MOQ BVds[V] Id [A] 25℃ Vgs(th) [Typ V] Rds(on) /ohm Vgs=10V Qg [nC] at 10V Features
      Typ. Max.
      650V N-OSS OSS65R340DF Single_N TO-252 2500 650 12 3.4 0.3 0.34 9.6 Super Si, ultra-high speed switching
      OSS65R340FF Single_N TO-220F 1000 650 12 3.4 0.3 0.34 9.6 Super Si, ultra-high speed switching
      OSS65R340JF Single_N DFN88 2500 650 12 3.4 0.3 0.34 9.6 Super Si, ultra-high speed switching
      OSS65R240JF Single_N DFN88 2500 650 18 3.7 0.21 0.24   Super Si, ultra-high speed switching
      OSS65R125JZF Single_N DFN88 2500 650 25 3.75 0.115 0.125 40.3 Super Si,Fast Recovery
      OSS65R125PZF Single_N TO-220 1000 650 25 3.75 0.115 0.125 40.3 Super Si,Fast Recovery
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